삼성전자가 세계 최초로 40나노급(1나노=10억분의 1m) 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산에 들어간다.

삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 40나노급 미세공정을 적용한 D램 개발에 성공한데 이어 이번달 말부터 본격 양산한다고 21일 밝혔다.

이번에 양산한 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난 해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 50나노급 제품에 비해 생산성이 60% 정도 높다.

또 생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율도 높여 원가경쟁력을 더욱 향상 시켰다.

40나노급 2Gb DDR3 D램은 1.35V 동작전압에서도 기존 1.5V 제품에 비해 20% 정도 빠른 1.6Gbps(초당 1천600 메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현할 수 있으며 전력소모도 기존 DDR2 D램보다 적어 친환경적이다.

삼성전자는 “최고의 친환경 솔루션으로 호평 받고 있는 50나노급 2Gb DDR3 D램 보다 고성능 제품을 제공하게 돼 제품 차별화를 더욱 강화하게 됐다”고 설명했다.

삼성전자는 DDR3 시장을 확대하기 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB), 8GB 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션, 데스크톱 PC용 4GB 모듈(UDIMM) ▲노트북 PC용 4GB 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 주력으로 공급할 계획이다.

한편 반도체 시장 조사기관 아이서플라이는 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%로 급격하게 늘어날 것으로 예상하고 있다.

2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것으로 전망되고 있다.