삼성전자가 현재 3D(3차원) V(수직)낸드플래시만 생산하고 있는 평택 반도체공장에 D램 생산라인도 건설하겠다고 밝혔다.

삼성전자는 31일 실적발표 콘퍼런스콜에서 “평택공장의 상층(2층) 일부 공간을 D램 증설에 활용할 계획”이라고 말했다.

삼성전자는 올해 초 화성공장 11라인 D램 생산라인 일부를 이미지센서 라인으로 전환하겠다고 밝히면서 이로 인해 줄어드는 D램 생산설비를 보완하겠다고 밝힌 바 있다.

이에 따라 화성공장의 낸드 캐퍼 일부를 D램으로 전환해 왔는데 여기에 더해 평택공장에도 D램 생산라인을 일부 들이겠다고 한 것이다.

삼성전자는 평택공장 2층에 클린룸을 짓겠다는 계획을 세운 것으로 알려졌지만 구체적 가동 시기나 설비용량에 대해 “시장 상황이나 10나노급 공정으로의 전환 상황 등을 고려해 탄력적으로 대응할 계획”이라고 밝혔다.

또 내년에 D램 반도체가 공급 과잉이 될 수 있다는 일각의 우려에 대해 공급 과잉 가능성은 작다고 진단했다.

반면 공급 측면에서는 반도체 업계의 ‘1x 나노’ 공정 전환(D램), 3D 낸드플래시로의 전환이 원활하게 이뤄질지 불확실해 수급이 전반적으로 빡빡할 것으로 전망했다.

삼성전자는 또 신규 이미지센서 제품으로 3스택 이미지센서를 준비 중이라고 밝혔다.

3스택 이미지센서는 이미지센서와 빛을 전기신호로 변환하는 로직칩, 메모리 장치인 D램 등 3가지를 한데 붙인 이미지센서다.

특히 저장 속도가 낸드플래시보다 빠른 D램에 일시적으로 촬영한 이미지를 저장해 초당 수백장의 사진을 찍을 수 있다.

삼성전자는 “슈퍼 슬로모션 같은 독특한 사용자 경험을 제공하는 새로운 제품이 될 것”이라며 “프리미엄과 하이엔드 시장 중심으로 내년부터 채용이 본격화되고 빠르게 확대될 것으로 예상한다”고 밝혔다.

/이상훈기자 lsh@