삼성전자는 세계 최초로 256기가비트(Gb) 3차원 V낸드 양산에 성공했다고 11일 밝혔다.

이는 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드보다 데이터 저장 용량을 2배 향상시킨 것으로 업계 최고 용량의 메모리칩이다.

256기가 V낸드는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(cell)’을 32단보다 1.5배 더 쌓아올리는 기술이 적용됐다.

칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(Gb) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. ‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조’와 ‘48단 수직 적층 공정’, ‘3비트 저장기술’을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 소비 전력량을 30% 이상 줄일 수 있다.

셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓고나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음 총 853억개 이상의 셀을 고속으로 동작시킨다.

각 셀마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2천560억개의 데이터를 읽고 쓴다.또 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용해 제품 생산성을 약 40% 높였다.

업계에서 V낸드를 양산하는 업체는 삼성전자가 유일하다.

삼성전자는 작년 8월 2세대 3비트 V낸드를 생산한 지 1년 만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산하는 등 3차원 메모리 기술 리더십을 확고히 하고 있다.삼성전자는 이번 256기가비트 V낸드가 쓰기 성능과 절전 효과를 높여 글로벌 고객들이 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는 데 기여할 것으로 기대했다.

또 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD(솔리드스테이트드라이브)와 같은 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화도 앞당길 것으로 보고 있다./윤현민기자 hmyun91@