SK하이닉스가 인공지능(AI)용 핵심 반도체인 '5세대 고대역폭메모리(HBM3E)' 12단 제품 양산을 공식적으로 선언했다. 공급 과잉 우려에 대해서는 주요 메모리 제조사들이 HBM 생산능력이 대폭 확대됐다며 선을 그었다. HBM 시설 투자가 고객사의 수요에 기반해 이뤄지는 만큼 공급과잉을 억제할 수 있다는 것.

SK하이닉스는 2일 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자간담회를 열었다. 용인 클러스터 첫 팹(fab·반도체 생산공장) 준공(2027년 5월)을 3년 앞두고 열린 이날 행사에는 곽 사장은 물론, 김주선 사장(AI Infra 담당)과 김종환 부사장(D램개발 담당)등 주요 경영진들도 참석했다. SK하이닉스가 국내에서 사장급 기자간담회를 연 것은 이번이 처음이다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 이날 간담회에서 "CSP(클라우드 서비스 제공사)의 AI 서버 투자가 확대하고 있고 AI 서비스 질도 올라가고 있기에 추가 수요로 인한 수요 가시성이 높아졌다"며 HBM 시장을 긍정적으로 평가했다.

그러면서 "2012년 SK하이닉스 출범 이후 흔들림 없이 차세대 메모리 개발을 위한 연구개발과 투자에 전력을 다해 AI 메모리 선두주자로서의 입지를 구축할 수 있었다”며 “현재 HBM은 생산 측면에서 보면, 올해 이미 솔드아웃(완판)이고, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다”고 말했다.

이어 “HBM 기술 측면에서 보면, 시장 리더십을 더욱 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품의 샘플을 5월에 제공하고, 3분기 양산 가능하도록 준비 중”이라고 향후 추진 계획을 발표했다. 또 곽 사장은 올해까지 HBM 누적 매출이 100억 달러를 훨씬 넘어설 것이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 지난해 HBM3(4세대) 제품을 엔비디아에 독점 공급하는 등 그간 HBM 시장의 주도권을 쥐어왔다. 엔비디아는 AI서버에 필수인 그래픽처리장치(GPU) 시장을 거의 독점하고 있는데, GPU에는 HBM 탑재가 필수다.

이에 맞서 올해는 삼성전자가 12단 제품을 앞세워 점유율 역전을 노리고 있다. 지난 2월 업계 최초로 12단 HBM3E(5세대) 제품 개발에 성공하고 최근 양산 시점을 2분기로 발표했다. 8단 HBM3E 제품 역시 4월 양산을 시작해 2분기부터 매출이 발생할 전망이다.

HBM 과잉 공급에 대한 우려에 대해 곽 사장은 "올해 늘어나는 HBM의 공급 능력은 고객과 협의를 완료한 상태에서 고객 수요에 맞춰서 공급량을 증가시키는 것"이라며 "HBM 시장은 기존과 다른 성격이 있어서 고객의 수요를 기반으로 투자를 집행하는 성격이 강하고 과잉 투자를 억제할 수 있는 특징이 있다"고 일축했다.

HBM 경쟁력의 근간인 MR-MUF 등의 기술력도 강조했다. 김종환 부사장은 "업계 최고 수준의 극자외선(EUV) 공정 생산성과 1b나노 완성도를 기반으로 HBM3E 양산 램프업(Ramp-up) 역시 안정적으로 진행하고 있다"고 전했다.

그러면서 "MR-MUF는 HBM2E 4단을 시작으로 적용하기 시작했고, HBM3 및 HBM3E 8단에서도 최고 수준의 품질 경쟁력을 유지해 오고 있다"며 "HBM3 12단 역시 MR-MUF로 이미 양산 중이며 고객 요구 시점에 맞춰 적기에 최고 수준의 품질을 지속 유지할 수 있을 것으로 자신한다"고 설명했다.

이어 "HBM4 이후가 되면 맞춤형(커스터마이징) 니즈(요구)가 증가하면서 트렌드화되고 수주형 비즈니스로 옮겨갈 것이기 때문에 과잉 공급에 대한 리스크는 줄어들 것"이라고 덧붙였다.

아울러 낸드 시장에 대한 기대감도 드러냈다. 안현 부사장은 "1분기부터 낸드 메모리 수요 핵심인 AI 서버 스토리지향 고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품 수요가 본격화하면서 시장 수요가 지난 1년 반에서 2년간의 다운 턴을 극복하고 성장으로 방향이 전환됐다"며 "내년도 PC, 모바일 온디바이스 AI용 제품 채용이 늘면서 개인 기기용 낸드 수요도 확대될 것으로 보며 큰 폭의 매출과 이익 성장을 예상하고 있다"고 설명했다. 

또 "급성장하는 고용량 SSD 수요에 대해서는 세계 유일 QLC 기반 고용량 60테라바이트(TB) eSSD가 준비돼 있어 이것으로 대응하면서 SK하이닉스도 올해 QLC 기반 60TB를 개발할 것"이라며 "내년에는 300TB까지 초고용량 제품도 준비해 솔리다임과 함께 고객에 대응할 계획"이라고 덧붙였다.

HBM 6세대인 HBM4 개발을 위해선 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 TSMC와 협력을 강화한다고도 했다. 김 사장은 "이전부터 TSMC와 많은 기술 협업을 해왔고 최근에는 훨씬 더 깊이 있는 기술 교류에 대해 협의했다"며 "HBM3E까지는 D램 공정에서 우리가 생산했다면 HBM4부터는 성능과 효율을 최대치로 끌어내야 하는 난제가 있어 로직 공정을 활용, TSMC와 협업해 베이스 다이를 제작할 계획"이라고 설명했다.

앞서 지난 2019년 2월 SK하이닉스는 120조 원을 투자해 용인시 처인구 원삼면 일대에 4개의 반도체 생산 공장을 짓겠다고 밝힌 바 있다. 이와 관련해 김영식 부사장은 “용인 클러스터에 총 415만㎡ 규모 부지에 회사 팹 56만 평, 소부장 업체 협력화 단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평 등이 조성된다”며 “SK하이닉스는 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이며, 협력화 단지에는 국내외 소부장 업체들이 입주해 SK하이닉스와 협업해 반도체 생태계를 키워갈 것”이라고 설명했다.

연이은 시설투자로 인해 자금조달이나 재무 상황에 어려움이 없냐는 질문에 김우현 부사장은 "변화하는 시장에 대처할 수 있도록 제품 수요 전망에 근거해 투자 시기와 규모, 팹별 양산 시점 속도를 유연하게 조절하고 있다"며 "필수 투자 부문에는 영업현금흐름으로 충분이 대응 가능하다고 판단하고 있고 자사의 현금창출 수준과 재무건전성을 고려해서 자금조달을 진행하도록 할 것"이라고 말했다.

[ 경기신문 = 고현솔 기자 ]